微系统技术的发展推动了对可集成到电子学系统中的可持续电源和芯片热管理等方面的需求。热电薄膜器件能够在紧凑封装中实现高功率/制冷密度，在微型电源、芯片制冷和高精度温度控制等应用中具有广阔前景。碲化铋（Bi2Te3）是室温热电性能最好的材料，探索简洁高效的高质量Bi2Te3基热电薄膜沉积方法是提升热电薄膜器件性能的关键。磁控溅射法具有成分易于控制、成膜质量高、厚度可控、复现性好、批量制备和硅平面工艺兼容等优势。然而，溅射过程中的晶格失配会导致Bi2Te3外延层中的缺陷增加、内应力增大，最终导致薄膜结晶质量降低甚至崩裂，这对提高热电性能构成了巨大挑战。针对以上问题，微太中心/五所研究人员利用磁控溅射和后退火制备了平均晶粒尺寸为110nm的纳米晶n型Bi2Te3薄膜。通过高温溅射沉积和退火加剧Te蒸发并产生Te空位，从···

近日，微系统与太赫兹研究中心（简称“微太中心”）太赫兹物理团队及其合作者在Nano Letters（中科院一区TOP期刊）上发表了题为《Anomalous Nernst Effect Induced Terahertz Emission in a Single Ferromagnetic Film》的论文，报道了自旋太赫兹发射机理研究方面取得的新进展——成功发现并证实了基于反常能斯特效应的太赫兹产生新机理。获得高性能的太赫兹脉冲源一直是太赫兹领域研究的热点。基于铁磁/非磁纳米薄膜异质结构的新型自旋太赫兹源，由于结构简单、成本低廉、偏振可调、频谱宽（>10THz）等优点，获得了大量关注、研究并取得了很大进展。自旋太赫兹源的机理为飞秒激光诱导的超快自旋流从铁磁层注入非磁层，在非磁层中由于逆自旋霍尔效应转换为亚···

获得高性能的太赫兹脉冲源一直是太赫兹领域研究的热点。传统的太赫兹脉冲源主要有电光晶体、光电导天线、空气等离子体等，但它们在频谱、成本、简便性等方面存在一定不足。2013年，德国Fritz Haber Institute的T. Kampfrath等人报道了一种新型的自旋太赫兹脉冲[Nature Nanotechnology,2013]，利用铁磁/非磁双层纳米薄膜中的超快自旋流注入和逆自旋霍尔效应产生太赫兹脉冲。此新型太赫兹脉冲源具有结构简单、成本低廉、偏振可调、频谱宽（>10THz）等优点。更进一步，T. Kampfrath团队通过选择大自旋霍尔角的非磁层、优化铁磁/非磁层厚度、利用三层膜结构同时利用前向和后向自旋流等方法，于2016年将自旋太赫兹脉冲源的产生效率提升到商用ZnTe晶体的同等量级水平[Nat···

2022年IEEE第五届电子技术国际会议（IEEE The 5th International Conference on Electronics Technology）于5月13日至16日在成都市举行。此次IEEE电子技术国际会议由IEEE和四川省电子学会联合举办，旨在为电子学领域广大研究者提供一个信息交流的国际平台，促进学术交流和国际合作。本次会议涵盖了电子材料与器件、通信和网络、航空电子、电子应用、信号处理等11个主题，开设了多个分会场及专题聚焦讨论组，邀请了相关领域国内外知名学者做大会主旨报告。作为IEEE第四届电子技术国际会议最佳青年科学家获得者，微太中心MT02室李男男副研究员受邀参加了本次会议，并做大会邀请报告。在题为“Sub-picosecond Ultrafast Nanodevice for···

共振隧穿二极管（RTD）是一种基于量子共振隧穿效应的半导体异质结构器件，其特点是具有负微分电阻，可以实现太赫兹频率的直接振荡。目前RTD振荡器的最高工作频率（基频）已达1.98THz，是当前电子学器件中最高的基波频率。与此同时，RTD也具有I-V非线性特性，因此也可以用作太赫兹探测器，具备形成芯片级太赫兹收发单元的潜力，近年来获得越来越多的关注。微太中心太赫兹物理团队在RTD研究方面已有深厚积累，已具备0.1-1.5THz的RTD振荡器研制能力，近年来也启动了RTD探测器的研究。经调研分析，目前RTD探测器主要利用的是峰值电流附近的非线性区间，虽然在该偏压下其非线性特征最强，但是电流噪声和功耗相对较大，且由于容易进入负阻区振荡而造成动态范围较小。针对该问题，研究团队提出通过能带调控提升RTD器件小偏压区域的非线···