微系统技术的发展推动了对可集成到电子学系统中的可持续电源和芯片热管理等方面的需求。热电薄膜器件能够在紧凑封装中实现高功率/制冷密度，在微型电源、芯片制冷和高精度温度控制等应用中具有广阔前景。碲化铋（Bi2Te3）是室温热电性能最好的材料，探索简洁高效的高质量Bi2Te3基热电薄膜沉积方法是提升热电薄膜器件性能的关键。磁控溅射法具有成分易于控制、成膜质量高、厚度可控、复现性好、批量制备和硅平面工艺兼容等优势。然而，溅射过程中的晶格失配会导致Bi2Te3外延层中的缺陷增加、内应力增大，最终导致薄膜结晶质量降低甚至崩裂，这对提高热电性能构成了巨大挑战。针对以上问题，微太中心/五所研究人员利用磁控溅射和后退火制备了平均晶粒尺寸为110nm的纳米晶n型Bi2Te3薄膜。通过高温溅射沉积和退火加剧Te蒸发并产生Te空位，从···